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美光正式送樣業(yè)界高容量 SOCAMM2 模組，滿足 AI 數(shù)據(jù)中心對低功耗 DRAM 的需求
- 2025年 10 月 23 日，愛達(dá)荷州博伊西市 — 在當(dāng)今時代，人工智能（AI）實現(xiàn)了前所未有的創(chuàng)新和發(fā)展，整個數(shù)據(jù)中心生態(tài)系統(tǒng)正在向更節(jié)能的基礎(chǔ)設(shè)施轉(zhuǎn)型，以支持可持續(xù)增長。隨著內(nèi)存在 AI 系統(tǒng)中逐漸發(fā)揮越來越重要的作用，低功耗內(nèi)存解決方案已成為這一轉(zhuǎn)型的核心。美光科技股份有限公司（納斯達(dá)克股票代碼：MU）近日宣布其 192GB SOCAMM2（small outline compression attached memory modules，小型壓縮附加內(nèi)存模塊）已正式送樣，以積極拓展低功耗內(nèi)存在
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DRAM老三SK的大逆襲！專家揭稱霸全球關(guān)鍵技術(shù)
- 在人工智能（AI）熱潮帶動下，全球存儲器市場迎來三年來最強勁的復(fù)蘇，第四季DRAM報價漲幅可望擴(kuò)大至三成以上。 財信傳媒董事長謝金河指出，韓國SK海力士憑借高帶寬記憶體（HBM）技術(shù)脫穎而出，從過去的DRAM老三躍升為全球第一，今年股價狂飆近500%，且海力士專注于高階制程，不僅拉高產(chǎn)品附加價值，也導(dǎo)致DDR4與DDR5大缺貨，同時帶旺整個存儲器產(chǎn)業(yè)。謝金河在臉書發(fā)文指出，韓國是今年全亞洲表現(xiàn)最亮眼的股市，尤其自總統(tǒng)李在明上任后，韓股從2284.71點一路漲到3617.86點，漲幅高達(dá)58.35%。 這波
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內(nèi)存模組廠十一長假大蓋牌！ 消費性DRAM暫停報價
- DRAM缺貨潮加速顯現(xiàn)，在中國十一長假期間，存儲器市場詢單備貨的動能不增反減，短期內(nèi)現(xiàn)貨價格持續(xù)飆升。近一周來，DDR4 DRAM漲幅已逾1成，DDR5 16Gb也調(diào)漲約8%。 盡管終端消費市場需求平淡，但各家存儲器模組廠觀察到市場價格漲勢兇猛，包括臺系業(yè)者的威剛、十銓、宇瞻等先后均「蓋牌」暫停報價，等待長假結(jié)束后更明確的漲價行情。 據(jù)悉，此波暫停報價儼然已形成了連鎖效應(yīng)，威剛率先從上周實施暫停報價，以缺貨最為嚴(yán)重的DDR4、DDR5為主，而NAND Flash、固態(tài)硬盤（SSD）等產(chǎn)品仍維持繼
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因涉嫌向中國泄露DRAM技術(shù)被捕的三星、海力士前高管獲保釋
- 據(jù)悉，三星電子和海力士半導(dǎo)體（現(xiàn)SK海力士）前高管崔振錫因向中國泄露三星電子自主研發(fā)的投資4萬億韓元的DRAM工藝技術(shù)而被起訴，在接受一審期間被保釋。首爾中央地方法院刑事24庭（主審法官李英善，高級法官）15日批準(zhǔn)崔某保釋。崔于去年9月因違反《防止泄露和保護(hù)工業(yè)技術(shù)法》等罪名被捕起訴，并于今年3月被額外起訴。根據(jù)《刑事訴訟法》，一審拘留期為六個月。法院在拘留期屆滿前依職權(quán)準(zhǔn)予保釋。此外，據(jù)報道，與崔一起被捕并被起訴的前三星電子高級研究員吳氏已于 8 月 28 日被保釋。吳某于同月21日申請保釋，法院受理。
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三大存儲器巨頭正在投資1c DRAM，瞄準(zhǔn)AI和HBM市場
- 各大存儲器企業(yè)正專注于1c DRAM量產(chǎn)的新投資和轉(zhuǎn)換投資。主要內(nèi)存公司正在加快對 1c（第 6 代 10nm 級）DRAM 的投資。三星電子從今年上半年開始建設(shè)量產(chǎn)線，據(jù)報道，SK海力士正在討論其近期轉(zhuǎn)型投資的具體計劃。美光本月還獲得了日本政府的補貼，用于其新的 1c DRAM 設(shè)施。1c DRAM是各大內(nèi)存公司計劃在今年下半年量產(chǎn)的下一代DRAM。三星電子已決定在其 HBM1（第 4 代高帶寬內(nèi)存）中主動采用 6c DRAM。SK海力士和美光計劃在包括服務(wù)器在內(nèi)的通用DRAM中使用1c DRAM。三星
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SK 海力士據(jù)報道與客戶協(xié)商價格調(diào)整，跟隨美光和三星
- 存儲巨頭們正準(zhǔn)備在 AI 熱潮引發(fā)的短缺背景下再次提價。在三星和美光之后，SK 海力士——雖然尚未正式宣布——據(jù) SeDaily 和 Business Korea 報道，正與客戶協(xié)商根據(jù)市場條件調(diào)整價格。在三大巨頭中，美光是第一個宣布提價的，據(jù) EE Times China9 月 12 日報道，美光最初已通知渠道合作伙伴，DRAM 的價格將上漲 20%-30%，提價不僅涉及消費級和工業(yè)級存儲，還包括汽車電子，后者的價格漲幅可能達(dá)到 70%。行業(yè)消息來源還表
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存儲器行情來得又急又快 DRAM報價10月看漲雙位數(shù)
- 全球存儲器市場在生成式AI與大型云端服務(wù)商（CSP）急單帶動下，正式進(jìn)入新一輪長線上行。 隨著業(yè)界開始惜售，業(yè)者預(yù)期，10月DDR4與DDR5合約價及現(xiàn)貨價，皆將出現(xiàn)雙位數(shù)漲幅。產(chǎn)業(yè)界大老指出，這一波內(nèi)存行情漲得又快又急，可望一路延續(xù)到2026年底。根據(jù)業(yè)界對10月漲幅最新預(yù)估，DDR5合約價將上漲10~15%，現(xiàn)貨價漲15~25%; DDR4合約價將上漲逾10%，現(xiàn)貨價漲幅則超過15%，隨著市場供貨趨緊，現(xiàn)貨價漲幅還有進(jìn)一步拉升的可能。業(yè)者分析，此波漲幅的原因有二：一是AI應(yīng)用與儲存需求強勁，推升NAN
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國產(chǎn)廠商切入下一代存儲技術(shù)：3D DRAM
- 隨著 ChatGPT 等人工智能應(yīng)用的爆發(fā)式增長，全球?qū)λ懔Φ男枨笳灾笖?shù)級態(tài)勢攀升。然而，人工智能的發(fā)展不僅依賴于性能強勁的計算芯片，更離不開高性能內(nèi)存的協(xié)同配合。傳統(tǒng)內(nèi)存已難以滿足 AI 芯片對數(shù)據(jù)傳輸速度的要求，而高帶寬內(nèi)存（HBM）憑借創(chuàng)新的堆疊設(shè)計，成功攻克了帶寬瓶頸、功耗過高以及容量限制這三大關(guān)鍵難題，為 AI 應(yīng)用的高效運行提供了重要支撐。但如今，傳統(tǒng) HBM 已經(jīng)受限，3D DRAM 能夠提供更高帶寬。同時還能進(jìn)一步優(yōu)化功耗表現(xiàn)，全球的存儲廠商也普遍將 3D
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2025年第二季度DRAM營收增長，SK海力士蟬聯(lián)第一
- 據(jù)TrendForce集邦咨詢數(shù)據(jù)顯示，2025年第二季度，全球DRAM產(chǎn)業(yè)營收達(dá)到316.3億美元，相比第一季度增長了17.1%。這一增長主要得益于一般型DRAM（Conventional DRAM）合約價的上漲以及出貨量的顯著提升，同時HBM出貨規(guī)模的擴(kuò)大也起到了推動作用。集邦咨詢分析稱，PC OEM、智能手機(jī)以及CSP廠商的采購需求逐步回升，推動DRAM原廠加速去庫存化，多數(shù)產(chǎn)品的合約價已止跌回升。在廠商排名方面，SK海力士、三星和美光繼續(xù)穩(wěn)居前三。三星在第二季度的表現(xiàn)相對平穩(wěn)，其售價和位元出貨量均
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內(nèi)存巨頭，脆弱的鏈接：韓國對日本 HBM 供應(yīng)鏈的依賴
- 根據(jù) ZDNet 的報道，韓國可能在 DRAM 和 NAND 閃存等記憶產(chǎn)品領(lǐng)域領(lǐng)先，但它仍然嚴(yán)重依賴日本的關(guān)鍵材料。該報告援引消息人士的話警告說，除非本地化進(jìn)程更快地推進(jìn)，否則這種依賴可能會成為韓國在人工智能和 HBM 競賽中的結(jié)構(gòu)性風(fēng)險。報告指出，在 SK 海力士的 HBM 價值鏈中，超細(xì) TSV（硅通孔）堆疊結(jié)構(gòu)依賴于由日本公司主要壟斷的關(guān)鍵材料和設(shè)備。報告強調(diào)，用于 HBM 堆疊的底部填充劑——幾乎完全由日本的 NAMICS 提供。由于替代方案有限，本地化進(jìn)展緩慢。此外，SK
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實現(xiàn)120層堆疊，下一代3D DRAM將問世
- 高密度 3D DRAM 可能即將到來。
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2025年第二季度全球DRAM市場分析
- 在AI需求爆發(fā)與高價值產(chǎn)品滲透的雙重推動下，2025年第二季度全球DRAM市場實現(xiàn)量價齊升。根據(jù)CFMS最新數(shù)據(jù)，二季度市場規(guī)模環(huán)比增長20%至321.01億美元，同比增長37%，創(chuàng)歷史季度新高。頭部廠商中，SK海力士憑借HBM3E及高容量DDR5的先發(fā)優(yōu)勢，二季度DRAM銷售收入達(dá)122.71億美元，環(huán)比增長25.1%，市場份額提升至38.2%，連續(xù)第二個季度穩(wěn)居全球第一，并進(jìn)一步拉開與三星的差距。· 三星以107.58億美元收入位列第二，環(huán)比增長13%，市場份額33.5%；· 美光科技收入70.71億
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SK海力士在IEEE VLSI 2025上展示未來DRAM技術(shù)路線圖
- SK海力士公司今天宣布，在日本京都舉行的20251年IEEE VLSI研討會上，該公司提出了未來30年的DRAM新技術(shù)路線圖和可持續(xù)創(chuàng)新的方向。SK海力士首席技術(shù)官（CTO）車善勇于6月10日發(fā)表了題為“推動DRAM技術(shù)創(chuàng)新：邁向可持續(xù)未來”的全體會議。首席技術(shù)官 Cha 在演講中解釋說，通過當(dāng)前的技術(shù)平臺擴(kuò)展來提高性能和容量變得越來越困難。“為了克服這些限制，SK海力士將在結(jié)構(gòu)、材料和組件方面進(jìn)行創(chuàng)新，將4F2 VG（垂直門）平臺和3D DRAM技術(shù)應(yīng)用于10納米級或以下的技術(shù)。4F2 VG平臺是下一代
- 關(guān)鍵字： SK海力士 IEEE VLSI 2025 DRAM
中國研究團(tuán)隊在半導(dǎo)體領(lǐng)域取得新突破，基于 DRAM 原理
- 目前，在自動駕駛、智能家居系統(tǒng)和工業(yè)控制等領(lǐng)域，對邊緣智能硬件的需求日益增加，以在本地處理傳感器和智能設(shè)備生成的實時環(huán)境數(shù)據(jù)，從而最小化決策延遲。能夠精確模擬各種生物神經(jīng)元行為的神經(jīng)形態(tài)硬件有望推動超低功耗邊緣智能的發(fā)展?，F(xiàn)有研究已探索具有突觸可塑性（即通過自適應(yīng)變化來增強或減弱突觸連接）的硬件，但要完全模擬學(xué)習(xí)和記憶過程，多種可塑性機(jī)制——包括內(nèi)在可塑性——必須協(xié)同工作。為解決這一問題，由復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院包文忠教授、集成電路與微納電子創(chuàng)新學(xué)院周鵬教授以及香港理工大學(xué)蔡陽教授領(lǐng)銜的聯(lián)合研究團(tuán)隊提出了一種
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